
離子束修剪和離子束計算:下一代應(yīng)用的精確表面修改
離子束修剪和離子束處理是光學(xué)、微電子和納米技術(shù)等領(lǐng)域用于精密表面修改和校正的先進(jìn)高真空技術(shù)。
與傳統(tǒng)的機(jī)械拋光方法不同的是,IBT工藝和IBT工藝都不需要物理接觸。正電荷離子的聚焦寬束,例如,氦,穿過襯底表面。離子與襯底原子的碰撞啟動了"碰撞級聯(lián)",導(dǎo)致單個粒子從表面分離。去除量受處理時間的控制。離子束在一個位置停留的時間越長,去除的材料就越多。由于這兩種形式都是物理過程,可以加工各種材料。
離子束貼圖是光基板拋光誤差修正的一種特殊形式。它也常被稱為:離子束拋光,或 離子束整理 ,因為它通常是一系列處理步驟中的最后一步。
離子束修剪和離子束的優(yōu)點:
高精度 :加工具有極高的表面精度和單納米圖形校正。
非接觸進(jìn)程 :因此,離子束修剪不會給周圍地區(qū)帶來機(jī)械應(yīng)力或損害,從而提高設(shè)備的可靠性。
高選擇性 通過添加活性氣體(活性離子束修剪),使之成為復(fù)雜器件結(jié)構(gòu)的理想選擇。
離子束修剪和離子束涂裝設(shè)備
1、Scia Trim200
大批量生產(chǎn)系統(tǒng),用于對不超過200毫米的晶圓進(jìn)行薄膜厚度校正
離子束修剪
離子束圖
精確的表面校正:
… 200號飾帶 用于高精度的晶圓表面修剪,不受薄膜和晶圓材料的限制。該系統(tǒng)為大容量生產(chǎn)設(shè)計有一個吞吐量和維護(hù)優(yōu)化布局的半導(dǎo)體磁帶處理機(jī)器人,可容納所有標(biāo)準(zhǔn)尺寸的晶圓。此外,一個集群配置有兩個處理室和兩個磁帶負(fù)載鎖是可用的。
特點和益處:
產(chǎn)量顯著提高
薄膜厚度均勻性要調(diào)整到0.1納米原子級
無邊緣與靜電卡盤排斥
零基蝕刻功能的亞納米去除
無限制地加工薄膜和晶圓材料
低生產(chǎn)成本的產(chǎn)量和維護(hù)優(yōu)化設(shè)計
由于晶圓冷卻良好,用光刻膠面罩加工晶圓
應(yīng)用程序:
結(jié)果IBT
結(jié)果(左前、右后)鋁氧化物在200mm晶圓上的離子束切割。標(biāo)準(zhǔn)偏差:前:9.4納米,柱:0.4納米;改進(jìn)系數(shù):23.5納米;平均厚度:前:383.3納米,柱:360納米;目標(biāo):360納米
體聲波濾波器或表面聲波濾波器的頻率削減
絕緣體(SOI)、石英、鈦酸鋰(LT)或氮化鋰晶圓片上硅的厚度削減
薄膜表面厚度誤差或一步高度校正(TFH)制造
MEMS結(jié)構(gòu)的尺寸校正
X光鏡格式錯誤校正
申請表:
保真濾波器 作為移動通信中的高頻濾波器
鋸片機(jī) 在移動通訊中抑制頻率
POI晶圓的厚度調(diào)整 用于射頻濾波器(鋸片)
紙張厚度修正讀寫頭 就硬盤而言
X射線鏡表面誤差校正
原則:
在低污染的垂直設(shè)置中,專注于寬離子束掃描晶圓表面
通過調(diào)整停留時間控制局部材料的清除
技術(shù):
離子束修剪 是通過調(diào)整停留時間來控制通過晶圓和局部材料去除的聚焦寬離子束掃描的地方。
反應(yīng)離子束修剪 將活性氣體引入離子束源,用于表面的活性結(jié)構(gòu)。
離子束計算 是一個拋光錯誤修正掃描離子束和停留時間控制。
底板尺寸(最大) | 200毫米口徑。,所有標(biāo)準(zhǔn)晶圓尺寸均可 |
基座 | 水冷、氦背面冷卻接觸、無邊緣排除的靜電夾緊 |
AXX表現(xiàn) | 麥克斯。最大速度0.5米/秒。加速度15米/ |
離子束源 | 37mm循環(huán)射頻源(rf37i),8。..15毫米(FWM)或 |
中和器 | 熱燈絲中和器或射頻等離子橋中和器 |
產(chǎn)量 | 15個晶圓/小時(150mm晶圓上50納米硅) |
堿壓 | < 1 x 10 -6 馬巴 |
系統(tǒng)尺寸(WxDxH) | 帶磁帶處理的單室(沒有電架和泵) |
反對者 菲 蓋朗斯 | 單室,帶單襯底負(fù)載鎖定或磁帶處理,集群系統(tǒng),包括2個工藝室和磁帶處理 |
軟件接口 | SECS II / GEM, OPC |
典型清除率 | 高級官員 2 : 6 x 10 -3 毫米 3 /s (RF37-i), 11 x 10 -3 毫米 3 /s (RF80-i) |
剪裁后的電影變化 | 半納米RMS(取決于輸入質(zhì)量) |
2、Scia Trim300
在300毫米以下的晶圓片上精確的均勻薄膜表面校正
離子束修剪
離子束圖
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離子束修剪精確校正表面
… 右邊300 是一個高產(chǎn)量的生產(chǎn)系統(tǒng)?離子束修剪 不受材料限制的300毫米晶圓。該襯底的精確局部表面校正是由具有足夠小焦點的聚焦寬離子束進(jìn)行的。控制局部材料去除導(dǎo)致不均勻性蝕刻到一個令人印象深刻的均勻膜,從而顯著增加可用組件的產(chǎn)出。
特點和益處:
產(chǎn)量顯著提高
薄膜厚度均勻性要調(diào)整到0.1納米原子級
無邊緣與靜電卡盤排斥
零基蝕刻功能的亞納米去除
無限制地加工薄膜和晶圓材料
低生產(chǎn)成本的產(chǎn)量和維護(hù)優(yōu)化設(shè)計
由于晶圓冷卻良好,用光刻膠面罩加工晶圓
應(yīng)用程序:
結(jié)果IBT
離子束修剪結(jié)果(左、右) 2 在300毫米的晶圓片上。
標(biāo)準(zhǔn)差:前:1.3納米,柱:0.3納米;改進(jìn)系數(shù):4.3;平均厚度:前:107.7納米,柱:955.1納米;去除:55.6納米
體聲波濾波器或表面聲波濾波器的頻率削減
絕緣體(SOI)上硅的厚度調(diào)整,
MEMS結(jié)構(gòu)的尺寸校正
申請表:
保真濾波器 作為移動通信中的高頻濾波器
鋸片機(jī) 在移動通訊中抑制頻率
原則:
在低污染的垂直設(shè)置中,專注于寬離子束掃描晶圓表面
通過調(diào)整停留時間控制局部材料的清除
技術(shù):
離子束修剪 是通過調(diào)整停留時間來控制通過晶圓和局部材料去除的聚焦寬離子束掃描的地方。
反應(yīng)離子束修剪 將活性氣體引入離子束源,用于表面的活性結(jié)構(gòu)。
離子束計算 是一個拋光錯誤修正掃描離子束和停留時間控制。
底板尺寸(最大) | 300毫米口徑。,所有標(biāo)準(zhǔn)晶圓尺寸均可 |
基座 | 水冷、氦背面冷卻接觸、無邊緣排除的靜電夾緊 |
AXX表現(xiàn) | 麥克斯。最大速度0.25米/秒。加速度15米/ |
離子束源 | 37mm循環(huán)射頻源(rf37i),8。..15毫米(FWM)或 |
中和器 | 熱絲中和器(N-Fil) |
產(chǎn)量 | 6晶圓/小時(300mm晶圓上50納米硅) |
堿壓 | < 1 x 10 -6 馬巴 |
系統(tǒng)尺寸(WxDxH) | 3.20米x2.90米x2.20米,單腔,在270度安排下(沒有電架和泵) |
配置 | 帶磁帶處理或集群系統(tǒng)的單室,有兩個加工室和磁帶處理 |
軟件接口 | SECS II / GEM, OPC |
典型清除率 | 高級官員 2 : 6 x 10 -3 毫米 3 /s (RF37-i), 17 x 10 -3 毫米 3 /s (RF80-i) |
剪裁后的電影變化 | 半納米RMS(取決于輸入質(zhì)量) |
3、Scia Trim1500
高精度光學(xué)元件拋光誤差修正高達(dá)1500mm。
離子束圖
鏡頭和鏡子的拋光錯誤糾正:
… 完成1500 用于高精度光學(xué)元件的表面形狀誤差校正。該系統(tǒng)適用于高產(chǎn)量生產(chǎn),由于快速抽抽時間和離子束源的高去除率,24/7運(yùn)行。
特點和益處:
光學(xué)元件可重復(fù)質(zhì)量的長期穩(wěn)定過程
在大面積上非常精確
高吞吐量的高清除率
滑動門可方便地裝載大型基板
設(shè)計用于高產(chǎn)量生產(chǎn),短泵降落時間
應(yīng)用程序:
結(jié)果(左前、右后)模擬了1,500mm以上鏡離子束圖形。標(biāo)準(zhǔn)偏差:前:256納米,柱:1.9納米;范圍:前:1550納米,柱:85納米
透鏡和鏡子的最終表面形式錯誤校正
望遠(yuǎn)鏡鏡(零杜爾、西東、圖騰)
常規(guī)光學(xué)(石英和其他玻璃)
X射線光學(xué)離子束圖形
申請書:
格式錯誤更正 用于X光鏡
原則:
針對低污染背景下垂直設(shè)置的寬離子束掃描
去除不同數(shù)量物質(zhì)的時間控制
技術(shù):
離子束計算 是一個拋光錯誤修正掃描離子束和停留時間控制。
底板尺寸(最大) | 1500毫米口徑。,400公斤 |
軸性能 | 麥克斯。最大速度為每秒0.15%米。加速度15米/ |
離子束源 | 37mm循環(huán)射頻源(rf37i),8。..15毫米(FWM)或 |
中和器 | 射頻等離子體橋中和劑 |
堿壓 | < 1 x 10 -6 馬巴 |
系統(tǒng)尺寸 | 3.60米x7.70米x3.40米 |
配置 | 單室滑動門,手動裝載運(yùn)輸車,3或4軸控制系統(tǒng) |
軟件接口 | SECS II / GEM, OPC |
典型清除率 | 高級官員 2 : 14 mm 3 /h (RF37-i), 96 mm 3 /h (RF120-i) |
厚度變化 | 半納米RMS(取決于輸入質(zhì)量) |