一、合美半導(dǎo)體（北京）HSM-LP系列研磨拋光機(jī)產(chǎn)品特點(diǎn)
1、整機(jī)高度防腐，可在耐強(qiáng)酸強(qiáng)堿強(qiáng)氧化劑的工藝環(huán)境下實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定高效運(yùn)行，可實(shí)現(xiàn)高精度化學(xué)機(jī)械拋光工藝。
2、合美半導(dǎo)體（北京）HSM-LP系列研磨拋光機(jī)的研磨拋光盤轉(zhuǎn)速可自主設(shè)定，轉(zhuǎn)速范圍為0-120rpm。
3、工作時(shí)間可自主設(shè)定，合美半導(dǎo)體（北京）HSM-LP系列研磨拋光機(jī)連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間可達(dá)10個(gè)小時(shí)。
4、合美半導(dǎo)體（北京）HSM-LP系列研磨拋光機(jī)通過(guò)選配藍(lán)牙系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)一個(gè)終端多機(jī)聯(lián)控，減少人工，且工藝程序所有控制參數(shù)均可在顯示屏獨(dú)立顯示。
5、研磨工藝轉(zhuǎn)到拋光工藝時(shí)，研磨盤與拋光盤的更換簡(jiǎn)捷方便，全系列磨頭及附件均適配。
6、合美半導(dǎo)體（北京）HSM-LP系列研磨拋光機(jī)采用多通道進(jìn)料系統(tǒng)，填料系統(tǒng)自動(dòng)控制，滴料速度可調(diào)。
7、夾具擺幅及速度可精確控制，且擺幅范圍：0－100%；夾具壓力可調(diào)，可調(diào)范圍可達(dá)7kg；另外，配有獨(dú)立真空單元，樣片通過(guò)真空吸附固定到夾具上面。
8、合美半導(dǎo)體（北京）HSM-LP系列研磨拋光機(jī)的樣品去除厚度可控，去除量精度1μm。
9、合美半導(dǎo)體（北京）HSM-LP系列研磨拋光機(jī)可定制固定組件，實(shí)現(xiàn)端面及角度磨拋工藝。
10、合美半導(dǎo)體（北京）HSM-LP系列研磨拋光機(jī)可選配盤溫監(jiān)控功能，監(jiān)測(cè)精度1℃，具有在線實(shí)時(shí)磨拋盤溫控及冷卻功能。
11、該設(shè)備具備磨拋盤自動(dòng)沖洗功能。
咨詢電話：159 1097 4236
12、可獨(dú)立顯示并指示實(shí)際工作時(shí)長(zhǎng)，合美半導(dǎo)體（北京）HSM-LP系列研磨拋光機(jī)在完成既定工藝程序后自動(dòng)關(guān)機(jī)。
二、合美半導(dǎo)體（北京）HSM-LP系列研磨拋光機(jī)適用材料
合美半導(dǎo)體（北京）HSM-LP系列研磨拋光機(jī)主要適用于化合物半導(dǎo)體材料、金屬薄膜、光電材料等平面、端面及角度拋光，由于整機(jī)高度防腐，耐強(qiáng)酸強(qiáng)堿強(qiáng)氧化劑，除主要加工材料氮化鎵、金剛石、氧化鎵、多晶碳化硅外，還特別適用于CZT、MCT、GaAs、InP及類似材料的化學(xué)拋光。
三、合美半導(dǎo)體（北京）HSM-LP系列研磨拋光機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域
合美半導(dǎo)體（北京）HSM-LP系列研磨拋光機(jī)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體材料襯底減薄拋光、器件制備、先進(jìn)封裝及MEMS等相關(guān)領(lǐng)域，例如TC-SAW、FBAR、激光器、硅光子器件、TSV、SIP、Fan-out、MEMS高溫壓力傳感器、MEMS陀螺儀等。
四、合美半導(dǎo)體（北京）HSM-LP系列研磨拋光機(jī)技術(shù)參數(shù)
項(xiàng)目 | 合美半導(dǎo)體（北京）HSM-LP系列 |
電壓 | 240V 50HZ |
電流 | 6.3A |
工作盤直徑 | 300mm、350mm、420mm |
盤轉(zhuǎn)速 | 0～120rpm |
夾具自驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)速 | 0～120rpm |
連續(xù)工作時(shí)間 | 0～10小時(shí) |
對(duì)應(yīng)晶圓尺寸 | 3英寸、4英寸、6英寸 |
咨詢電話：159 1097 4236
